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DMN2016UFX 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2016UFX

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2016UFX
  • 名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 V-DFN2050-4

--- 产品详情 ---

DMN2016UFX 

产品简介
DIODES 的 DMN2016UFX 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
通用接口交换机
电源管理功能

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2016UFX
名称               双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地               台湾
封装               V-DFN2050-4

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 24 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14 nC
CISS Typ (pF) 950 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
静电放电保护


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