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DMN2020UFCL 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2020UFCL

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2020UFCL
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X1-DFN1616-6Type E

--- 产品详情 ---

 

DMN2020UFCL

产品简介 
DIODES 的 DMN2020UFCL这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2020UFCL
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               X1-DFN1616-6Type E

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.61 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 26 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 21.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 49 nC
CISS Typ (pF) 1788 pF

 

主要特征
0.5mm的典型板外轮廓-非常适合薄应用程序
低RDS（ON）–最大限度地减少传导损耗
印刷电路板占地面积2.56mm2
ESD保护门


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