产品简介
DIODES 的DMN2041UVT 这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2041UVT
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 TSOT26
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 40 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.1 nC
CISS Typ (pF) 689 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
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