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DMN2050LQ 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2050LQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2050LQ
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN2050LQ 

产品简介
DIODES 的 DMN2050LQ 这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准，由
PPAP，非常适合使用。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2050LQ
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT23

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 532 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低导通电阻
29m@VGS = 4.5V
50m@VGS=2.5V
100m@VGS=2.0V
极低的栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快


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