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DMN2053UFDB 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2053UFDB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2053UFDB
  • 名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6 (Type B)

--- 产品详情 ---

DMN2053UFDB 

产品简介
DIODES 的 DMN2053UFDB 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，这使得它是高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2053UFDB
名称               双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN2020-6 (Type B)

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 43 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 56 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.6 nC

 

主要特征
PCB 占地面积 4mm 2
低导通电阻
低输入电容
薄型，最大高度 0.6mm


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