--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN2075UDW
- 名称 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SOT363
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMN2075UDW 这款新一代 20V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合手持式应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2075UDW
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT363
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.58 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 70 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7 nC
CISS Typ (pF) 594 pF
主要特征
低导通电阻
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏
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