DMN2100UDM 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMN2100UDM 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低现场电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2100UDM
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT26

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 55 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 70 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 90 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
CISS Typ (pF) 555 pF

主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
ESD保护门

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