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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN2400UV 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2400UV

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2400UV
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT563

--- 产品详情 ---

DMN2400UV 

产品简介
DIODES 的 DMN2400UV 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。


产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2400UV
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               SOT563


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.33 A
PD @TA = +25°C (W) 0.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 900 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 38 pF

 

主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏


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