产品简介
DIODES 的 DMN2450UFB4Q这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2450UFB4Q
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X2-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 0.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.3 nC
主要特征
占地面积仅为 0.6mm2 – 比 SOT23 小十三倍
0.4 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
低栅极阈值电压
开关速度快
ESD保护栅极
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