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DMN2450UFB4Q 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN2450UFB4Q

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2450UFB4Q
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X2-DFN1006-3

--- 产品详情 ---

DMN2450UFB4Q 

产品简介
DIODES 的 DMN2450UFB4Q这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON))同时保持卓越的切换性能,使其成为理想之选用于高效电源管理应用。


产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2450UFB4Q
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               X2-DFN1006-3


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 0.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.3 nC

 

主要特征
占地面积仅为 0.6mm2 – 比 SOT23 小十三倍
0.4 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
低栅极阈值电压
开关速度快
ESD保护栅极


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