SRDA3.3-4低电容TVS阵列将浪涌额定、低电容转向二极管与TVS二极管组合在一个单一封装中。在瞬态状态下，二极管通过内部低压TVS将瞬态电流直接对地。此外，TVS二极管将瞬态电压箝位到安全水平。低电容阵列配置可以保护多达四行数据。
SRDA3.3-4采用的EPD工艺技术设计。该工艺提供了较低的落差电压，显著降低了硅雪崩二极管工艺的漏电流和电容。此外，该器件在3.9 x 4.9mm的8引脚SOIC封装中提供3.3V的真正工作电压。SRDA3.3-4数组提供高过载能力的I(PP) = 25, tp = 8/20µSESD ， 对EFT ，和闪电干扰起到保护作用。
特性
- 用于高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000-4-2 (ESD)±15kV(空气)，±8kV(触点)
- IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5(闪电)25A(8/20µs) VC小于15V
- 带内部TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
- 保护4条I/O线
- 低电容(< 15 pf)
- 3.3V工作电压低
- 低电压钳位
- 固态技术
- 电平SOIC-8包
- 无铅，无卤素，符合RoHS要求
- 标记代码
- 卷轴包装
SRDA12-4 SRDA05-4 SRDA3.3-4
应用：
- T1/E1二级IC侧保护
- T3/E3二次IC侧保护
- 模拟视频保护
- 单片机输入保护
- 基站
- 总线保护
