深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管，原装，库存现货热销
MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5*6 电压：650V 电流：6A 碳化硅二极管
MSL06065G1，碳化硅二极管，耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作温度范围-55到175℃，正向压降1.4V，并具有正温度系数特性，可直接并联使用。可应用于开关电源，功率因数校正，马达驱动和氙气灯照明应用。
MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管产品特性：
650V肖特基整流器
更短的恢复时间
可实现高速切换
极高频率
开关行为与温度无关
切换速度极快
VF为正温度系数
MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管产品优势：
更高的过电压安全裕量
提高所有负载条件下的效率
与硅二极管相比提高了效率，降低了散热器要求
无热失控，可并联
基本上没有开关损耗。
应用领域
开关电源
PFC电路
电机驱动器
PD快充
充电桩
光伏逆变器。
售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。
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MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管 产品供应
碳化硅材料优点：
碳化硅材料有很多优点，如禁带宽度很大、临界击穿场强很高、热导率很大、饱和电子漂移速度很高和介电常数很低如表 1-1。首先大的禁带宽度，如 4H-SiC其禁带宽度为 3.26 eV，是硅材料禁带宽度的三倍多，这使得器件能耐高温并且能发射蓝光；高的临界击穿场强，碳化硅的临界击穿场强 (2-4 MV/cm)很高，4H-SiC的临界击穿场强为 2.2 MV/cm，这要高出 Si 和 GaAs 一个数量级，所以碳化硅器件能够承受高的电压和大的功率；大的热导率，热导率是 Si 的 3.3 倍和 GaAs 的10 倍，热导率大，器件的导热性能就好，集成电路的集成度就可以提高，但散热系统却减少了，进而整机的体积也大大减小了；高的饱和电子漂移速度和低的介电常数能够允许器件工作在高频、高速下。但是值得注意的是碳化硅具有闪锌矿和纤锌矿结构，结构中每个原子都被四个异种原子包围，虽然 Si-C 原子结合为共价键，但硅原子 1.8 的负电性小于负电性为 2.6 的 C 原子，根据 Pauling 公式，离子键合作用贡献约占 12%，从而对载流子迁移率有一定的影响，据目前已发表的数据，各种碳化硅同素异形体中，轻掺杂的 3C-SiC 的载流子迁移率最高，与之相关的研究工作也较多，在较高纯的 3C-SiC 中，其电子迁移率可能会超过 1000 cm/（V.s），最高的跟硅也有一定的差距。
与 Si 和 GaAs 相比，除个别参数外（迁移率），SiC 材料的电热学品质全面优于 Si 和 GaAs 等材料，仅次于金刚石。因此碳化硅器件在高频、大功率、耐高温、抗辐射等方面具有巨大的应用潜力，它可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为下一代电力电子器件。
