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DMN24H11DS 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN24H11DS

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN24H11DS
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN24H11DS 

产品简介
DIODES 的 DMN24H11DS 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。


产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN24H11DS
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 240 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.7 nC
CISS Typ (pF) 76.8 pF

 

主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
快速切换速度
小型表面安装封装


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