产品简介
DIODES 的 DMN2501UFB4 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(on))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2501UFB4
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 X2-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 2 nC
CISS Typ (pF) 88 pF
主要特征
低导通电阻
极低栅极阈值电压VGS（TH），最大1.0V。
低输入电容
快速切换速度
超小型表面安装组件
超低封装外形，最大封装高度0.4mm
ESD保护门
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