--- 产品参数 ---
- 工作模式静态电流 230µA
- 备用模式静态电流 2nA
- 封装 SO
--- 产品详情 ---
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路,可将标准(易失性)CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源,以在RAM的电源处于边际(超出容限)条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时,RAM受到写保护,并且器件切换到电池备用模式。
应用
- µP控制系统
- 计算机:台式机、工作站和服务器
- 嵌入式系统
- 备用电池
- 存储器写保护
- 工作模式静态电流:230µA
- 备用模式静态电流:2nA
- 电池保鲜密封
- 可选冗余电池
- VCC 电源开关具有低正向压降
- 5%或10%电源故障检测选项
- 在上电期间测试电池状况
- 采用8引脚SO封装
DS9092
DS9092GT
DS9092T
DS9092R
DS9092RG
DS9100A
DS9100B
DS9100C
DS1404
DS1411
DS1411-009
DS1411-S09
DS1402-BP8
DS1402-BR8
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MXD1210
MAX1259
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