DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1330器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
- 电池监视器核查剩余电量
- 100ns的读写存取时间
- 没有写次数限制
- 典型待机电流50µA
- 可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- ±10% VCC工作范围(DS1330Y)或±5% VCC工作范围(DS1330AB)
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有NV SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1249AB
DS1249Y
DS1265AB
DS1265Y
DS1270AB
DS1270Y
DS1330AB
DS1330Y
DS1345Y
DS1220AB
DS1220AD
DS1225AB
DS1225AD
DS1230AB
DS1230W
DS1230Y
DS1245AB
DS1245W
DS1245Y
DS1250AB
DS1250W
DS1250Y
DS1330W
DS1350W
DS9034PC
DS9034PCI
