650 V、120 mΩ、22 A、TO-247-4 封装、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术领先地位，在更广泛的电源系统中实现更小、更轻且高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用。
特征
- 整个温度范围内的低通态电阻
- 低寄生电容
- 具有超低反向恢复的快速二极管
- 高温操作 (TJ = 175°C)
- 开尔文源极引脚
- 行业标准通孔和 SMT 封装
- 外形尺寸小
- 低引线电感
- 低热阻
好处
- 通过降低开关和传导损耗提高系统效率
- 实现高开关频率操作
- 提高系统级功率密度
- 减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
- 支持新的硬开关拓扑（图腾柱 PFC）
应用领域
- 工业电源
- 服务器/电信
- 电动汽车充电系统
- 储能系统（ESS）
- 不间断电源 (UPS)
- 电池管理系统 (BMS)
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