900 V、30 mΩ、63 A、TO-247-4 封装、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装领域的领先地位，具有宽爬电距离和漏极与源极之间的间隙距离 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高频能力，同时提供适合高污染环境的额外电气隔离。独立的开尔文源极引脚可降低电感，从而将开关损耗降低多达 30%。设计人员可以通过从基于硅的三电平拓扑转向更简单的两电平拓扑（通过改进的开关性能实现）来减少元件数量。
特征
- 整个工作温度范围内 Vbr 最低为 900V
- 带驱动源的低阻抗封装
- 高阻断电压和低 R DS(on)
- 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
- 易于并联且驱动简单
好处
- 通过降低开关和传导损耗提高系统效率
- 实现高开关频率操作
- 提高系统级功率密度
- 减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
- 支持新的硬开关拓扑（图腾柱 PFC）
应用领域
- 电机控制
- 电动汽车充电系统
- 不间断电源 (UPS)
- 电池管理系统
- 快速电动汽车充电系统
- 车载充电
- 传动系统
- 焊接
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