1000 V、65 mΩ、35 A、TO-247-4 封装、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对电动汽车充电系统、工业电源和可再生能源系统等快速开关设备进行了优化。
1000 V 碳化硅 MOSFET 通过提供具有低导通电阻、极低输出电容和低源电感的独特器件，实现低开关损耗和低传导损耗的完美结合，解决了许多电源设计挑战。与硅基解决方案相比，Wolfspeed 碳化硅功率器件技术可提高系统功率密度、提高开关频率、减少元件数量以及缩小电感器、电容器、滤波器和放大器、变压器等元件的尺寸。
特征
- 整个工作温度范围内 Vbr 最低为 1kV（无需降额）
- 具有低输出电容的高速开关
- 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
- 易于并联且驱动简单
- 开尔文源极引脚可减少开关损耗和振铃
好处
- 降低总体系统成本
- 提高系统效率，同时减小系统尺寸
- 组件数量减少 30%，同时功率密度提高 3 倍以上，输出功率提高 33%
- 启用硬开关拓扑
应用领域
- 工业电源
- 可再生能源系统
- 电动汽车快速充电系统
- 电动汽车车载充电
