--- 产品参数 ---
- 阻断电压 1200伏
- 最高结温 175℃
- 封装 TO-247-3
--- 产品详情 ---
1200 V、16 mΩ、115 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化,适用于高功率应用,例如 UPS、电机控制和驱动器、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压 DC/DC 转换器等。
基于第三代技术,各种导通电阻和封装选项使设计人员能够为其应用选择正确的部件。
特征
- 整个温度范围内稳定的 RDS(ON)
- 提供带有独立开尔文源极引脚的封装选项
- 极快的切换
- 减少散热器要求
好处
- 更容易驱动(+15V 栅极驱动)
- 提高系统级效率
- 坚固的体二极管(无需外部二极管)
- 雪崩坚固性
应用领域
- 太阳能逆变器和储能
- 车载和快速直流电动汽车充电系统
- 电机控制和驱动
- 焊接和感应加热
- 辅助电源
- 高压DC/DC转换器
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PLNA-33-812-0R9-10DBM-SFF2024-10-28 17:18
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PTB-60-120-5R0-10-115VAC-SFF 2024-10-28 17:15
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PTB-30-0R12-5R0-20-115VAC-SFF 2024-10-28 17:12
产品型号: PTB-30-0R12-5R0-20-115VAC-SFF 频率范围::0.1 – 2.0 GHz 获得::+30分贝 增益平坦度::最大 ±1.5 dB 噪声系数::最大 5.0 分贝 -
PTB-30-0R54-5R0-20-115VAC-SFF2024-10-28 17:10
产品型号:PTB-30-0R54-5R0-20-115VAC-SFF 频率范围::0.5 – 4.0 GHz 获得::+30分贝 增益平坦度::最大 ±1.5 分贝 噪声系数::最大 5.0 分贝 -
PTB-42-1G40G-12-292FF-DC122024-10-28 17:08
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PTB-42-1G40G-12-292FF-DC12-100VAC2024-10-28 17:01
产品型号:PTB-42-1G40G-12-292FF-DC12-100 频率范围::1 至 40 GHz 获得::40 分贝(典型值) 增益(测量)::40 dB 典型值 - 测量值 38.1 dB 增益平坦度::最大 ±2.5 分贝 -
PTB-60-120-5R0-10-115-VAC-SFF Rev. B2024-10-28 16:59
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PTB-42-1G40G-12-292FF-DC12-220VAC2024-10-28 16:56
产品型号:PTB-42-1G40G-12-292FF-DC12-220 频率范围::1 至 40 GHz 获得::40 分贝(典型值) 增益(测量)::典型值 40 dB - 测量值 38.1 dB 增益平坦度::最大 ±2.5 分贝 -
PTB-35-120-5R0-10-115-VAC-SFF2024-10-28 16:53
产品型号:PTB-35-120-5R0-10-115-VAC-SFF 频率范围::1.0 至 20.0 GHz 获得::35 分贝(典型值) 增益平坦度::±3.0 dB 典型值 噪声系数::最大 5.0 分贝