1200 V、40 mΩ、64 A、TO-263-7 封装、第 3 代分立式 SiC MOSFET
Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化，适用于高功率应用，例如 UPS、电机控制和驱动器、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压 DC/DC 转换器等。
基于第三代技术，各种导通电阻和封装选项使设计人员能够为其应用选择正确的部件。
特征
- 整个温度范围内稳定的 RDS(ON)
- 提供带有独立开尔文源极引脚的封装选项
- 极快的切换
- 减少散热器要求
好处
- 更容易驱动（+15V 栅极驱动）
- 提高系统级效率
- 坚固的体二极管（无需外部二极管）
- 雪崩坚固性
应用领域
- 太阳能逆变器和储能
- 车载和快速直流电动汽车充电系统
- 电机控制和驱动
- 焊接和感应加热
- 辅助电源
- 高压DC/DC转换器
C3M0015065D
C3M0015065K
C3M0025065D
C3M0025065K
C3M0025065J1
C3M0045065D
C3M0045065K
C3M0045065L-TR
E3M0045065K
C3M0045065J1
E3M0060065D
C3M0060065D
C3M0060065K
C3M0060065L-TR
E3M0060065K
C3M0060065J
C3M0120065D
C3M0120065K
C3M0120065L-TR
C3M0120065J
C3M0030090K
C3M0065090D
C3M0065090J
C3M0120090D
C3M0120090J
E3M0120090J
C3M0280090D
C3M0280090J
C3M0065100K
C3M0065100J
C3M0120100K
C3M0120100J
C3M0016120D
C3M0016120K
E3M0016120K
C3M0021120D
C3M0021120K
E3M0021120K
C2M0025120D
C3M0032120D
C3M0032120K
E3M0032120K
C3M0032120J1
C3M0040120D
C3M0040120K
C2M0040120D
E3M0040120K
C3M0040120J1
C3M0075120D-A
C3M0075120K-A
E3M0075120D
C3M0075120D
C3M0075120K
E3M0075120K
C3M0075120J
C2M0080120D
E3M0160120K
C3M0160120D
C2M0160120D
C3M0160120J
C2M0280120D
C3M0350120D
C3M0350120J
C2M0045170P
C2M0045170D
C2M1000170D
C2M1000170J
