650V,8A,至220个孤立包,第3代离散硅肖特基二极管
沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV)逆变器和消费电子产品。
特点
- 最低正向电压(V) f )工业温度下降
- 零反回收电荷(q) Rr )用于超快转换操作
- 强有力的MPS技术
- 高反向电压阻断能力
- 当前硅二极管和其他碳化硅二极管的直接插入式替换
好处
- 提高系统效率,降低传导损耗
- 使高频开关操作成为可能
- 提高系统级功率密度
- 减少系统尺寸、重量和冷却要求
应用程序
- 工业电力供应
- 服务器/电讯
- 排放系统
- 能源储存系统
- 不间断电源
- 电池管理系统
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