1700 V、10 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管
采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，可实施到任何定制模块设计中
较低的正向电压、较小的反向漏电流、零反向恢复和高热导率使该肖特基二极管非常适合高频开关应用，包括高密度直流到直流转换器。该肖特基二极管可与 IGBT 或 MOSFET 结合使用，作为反并联二极管或整流器。
特征
- 零反向恢复
- 零前向恢复
- 高频操作
- 与温度无关的开关行为
- 极快的切换
- V F上的正温度系数
好处
- 通过降低开关和传导损耗提高系统效率
- 降低系统尺寸、重量和冷却要求
- 实现高开关频率操作
- 易于并联并与标准栅极驱动设计兼容
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电机驱动
- 电动汽车充电器
- UPS
- 工业电源
CPW3-0600-S002B
CPW3-0600-S003B
CPW3-0600-S004B
CPW2-0600-S006B
CPW2-0600-S008B
CPW2-0600-S010B
CPW3-0650-S004B
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EPW4-1200-S010A
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CPW6-1200-Z050A
CPW6-1700-Z005A
CPW6-1700-Z010A
CPW6-1700-Z025A
CPW6-1700-Z050A
