1200 V、1.33 mΩ、HM 高性能 62 mm、半桥 SiC 电源模块
Wolfspeed 开发了 HM 功率模块平台，以在功率密度敏感的应用中发挥 SiC 的优势，同时保持 62mm 模块的基板兼容性。HM 平台的 SiC 优化封装可实现 175°C 的连续结操作，并采用高可靠性氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板来确保极端条件下的机械鲁棒性，并采用轻质 AlSiC 基板。HM3 非常适合医疗电源、航空航天和牵引驱动等要求苛刻的应用。
特征
- 高性能 62 毫米占地面积
- 低电感 (4.9 nH) 设计可实现高速开关和高效率并降低损耗
- 高结温 (175 °C) 运行
- 可用于第二代和第三代 SiC MOSFET 的配置
- 轻质 AlSiC 基板
- 氮化硅绝缘体具有强大的热循环能力
好处
- 轻的; 紧凑的外形和 62mm 兼容底板可实现系统改造
- 提高系统效率；由于碳化硅的低开关和传导损耗
- 高可靠性材料选择可实现高温运行
应用领域
- 铁路与牵引
- 太阳能及可再生能源
- 电动汽车充电器
- 工业自动化与测试
- 医疗电源
- 电机驱动
CAB320M17XM3
CAB400M12XM3
CAB425M12XM3
CAB450M12XM3
EAB450M12XM3
CAB600M33LM3
CAB760M12HM3R
CAS380M17HM3
CAS480M12HM3
CAB500M17HM3
CAR600M17HN6
CAR600M12HN6
CAB650M17HM3
CAB760M12HM3
CCB016M12GM3
CCB016M12GM3T
CAB011A12GM3
CAB011A12GM3T
CAB008M12GM3
CAB008M12GM3T
CAB008A12GM3T
CAB008A12GM3
CAB006A12GM3
CAB006M12GM3
CAB006M12GM3T
CAB006A12GM3T
CCB021M12FM3T
CCB032M12FM3T
CBB032M12FM3T
CBB032M12FM3
CCB032M12FM3
CBB021M12FM3T
CBB021M12FM3
CCB021M12FM3
CAB016M12FM3
CAB016M12FM3T
CAB011M12FM3
CAB011M12FM3T
CAS120M12BM2
WAS175M12BM3
CAS175M12BM3
CAS300M17BM2
CAS300M12BM2
WAB300M12BM3
WAS310M17BM3
CAS310M17BM3
WAS350M12BM3
CAS350M12BM3
WAB400M12BM3
CAB530M12BM3
CAS530M12BM3
WAS530M12BM3
