高功率 RF GaN on SiC HEMT 500 W，48 V，1805 – 1880 MHz
GTRB186002FC 是一款 500 瓦 (P3dB) 碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设计用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有高效率和带无耳法兰的耐热增强型封装。
特征
- 碳化硅基氮化镓 HEMT 技术
- 典型脉冲 CW 性能，1880 MHz，48 V，10 μs 脉冲宽度，10% 占空比，组合输出
- P3dB = 500 W 时的输出功率
- P3dB 时的效率 = 68%
- 人体模型 1B 级（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
- 无铅且符合 RoHS 标准
WSGPA01-V1-R3K
PTFC270101M-V1
PTVA120252MT-V1
PXAC210552FC-V1
PTFC210202FC-V1
PTGA090304MD-V2
PTMC210404MD-V2
GTRA260502M-V1
GTVA220701FA-V1
PTAC240502FC-V1
GTRA360502M-V1
WS1A2639-V1-R3K
WS1A3940-V1-R3K
WS1A3640-V1-R3K
PTNC210604MD-V2
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PXFC192207FH-V3
PXFE181507FC-V1
GTRA412852FC-V1
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PTRA097008NB-V1
PTRA084858NF-V1
GTRB267008FC-V1
GTRB266502FC-V1
PTRA097058NB-V1
