高功率 RF LDMOS FET 1000 W；50V；1030 / 1090 兆赫
PTVA101K02EV LDMOS FET 设计用于 1030 MHz / 1090 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
特征
- 宽带输入匹配
- 高增益、高效率
- 集成 ESD 保护
- 人体模型 2 级（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
- 低热阻
- 无铅且符合 RoHS 标准
- 在 MODE-S 脉冲条件下能够承受 1000 W 的 10:1 负载失配（所有相位角）；（32μS 开启/18μS 关闭）X 80；LTDF = 6.4%。
应用领域
- 1030 至 1090 MHz 频段的功率放大器
PTVA030121EA-V1
PTVA120252MT-V1
PTVA120251EA-V2
PTVA120501EA-V1
PTVA123501FC-V1
PTVA123501EC-V2
PTVA104501EH-V1
PTVA035002EV-V1
GTVA126001EC-V1
GTVA126001FC-V1
GTVA107001FC-V1
GTVA107001EC-V1
PTVA127002EV-V1
GTVA107001EFC-V1
PTVA047002EV-V1
CGHV14800F1
CGHV14800F-AMP
CGHV14800F
PTVA101K02EV-V1
LTN/GTVA101K42EV-V1
GTVA101K42EV-V1
