CHA6551-99F 是一款三级单片 GaAs 高功率电路，可产生 1.6 瓦的输出功率。
该产品具有高线性度，可进行增益控制，并集成了功率检测器。包括 ESD 保护。它专为广泛的应用而设计：太空、军事和汽车通信系统。
该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.15μm。
放大器 – HPA
| 参考 | 射频带宽 (GHz) | 增益 （分贝） | IP3 （分贝） | P-1dB 输出 (dBm) | 星期六。输出功率 （dBm） | PAE (%) | 偏置 （毫安） | 偏差 (V) | 案件 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 分钟 | 最大限度 | |||||||||
| CHA6551-99F | 17 号 | 24 | 22 | 39 | 30 | 32 | 25@Psat | 880 | 4 | DIE |
CHA6550-98F
CHA6550-QXG
CHA6262-99F
CHA6282-QCB
CHA8254-99F
CHA8252-99F
CHA6362-QXG
CHA6652-98F
CHA6652-QXG
CHA6356-QXG
CHA6653-98F
CHA6653-QXG
CHA8262-99F
CHA7452-99F
CHA5659-98F
CHA6194-QXG
CHA5659-QXG
