CHK8101-SYC 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合空间和电信等多用途应用
CHK8101-SYC 采用 0.5μm 栅极长度的 GaN on SiC HEMT 工艺开发。它需要外部匹配电路。
CHK8101-SYC 采用密封陶瓷金属法兰电源封装，符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。
氮化镓功率晶体管
| 参考 | 格林 (dB) @ 频率 (GHz) | 工作频率 （GHz） | 饱和功率 （W） | PAE (%) @ 频率 (GHz) | 偏置 （毫安） | 偏差 (V) | 案件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CHK8201-SYA | 22@1.3 | 最多 4 个 | 45 | 55 | 200 | 50 | 密封SMD |
CHKA011aSXA
CHK8013-99F
CHK9014-99F
CHK8015-99F
CHK8201-SYA
CHKA012a99F
CHK015AaQIA
CHKA012bSYA
CHK8101-SYC
CHK8101a99F
CHK9013-99F
