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DMN2710UDWQ 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2710UDWQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2710UDWQ
  • 名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT363

--- 产品详情 ---

DMN2710UDWQ 

产品简介
DIODES 的 DMN2710UDWQ 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。


产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2710UDWQ
名称               双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT363


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.49 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC

 

主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
互补对 MOSFET
超小型表面贴装封装
静电放电保护


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