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DMN2710UFB 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2710UFB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2710UFB
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X1-DFN1006-3

--- 产品详情 ---

DMN2710UFB 

产品简介
DIODES 的 DMN2710UFB 这种MOSFET被设计为最小化导通状态电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，这使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2710UFB
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               X1-DFN1006-3


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 42 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

主要特征
占位面积仅为 0.6mm 2 —比 SOT23 小 13 倍
低栅极阈值电压
开关速度快
ESD保护栅极


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