产品简介
DIODES 的 DMN2710UFB 这种MOSFET被设计为最小化导通状态电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，这使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2710UFB
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X1-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 42 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V
主要特征
占位面积仅为 0.6mm 2 —比 SOT23 小 13 倍
低栅极阈值电压
开关速度快
ESD保护栅极
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