产品简介
DIODES 的 DMN2990UFO 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2990UFO
名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X1-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.75 A
PD @TA = +25°C (W) 0.84 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.41 nC
CISS Typ (pF) 31 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低封装外形
0.6mm x 0.4mm 封装尺寸
低导通电阻
极低栅极阈值电压，最大值 1.0V
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