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DMN2990UFZ N沟道 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET N沟道 晶体管
型号： DMN2990UFZ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2990UFZ
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X2-DFN0606-3

--- 产品详情 ---

DMN2990UFZ 

产品简介
DIODES 的 DMN2990UFZ 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2990UFZ
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               X2-DFN0606-3


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.25 A
PD @TA = +25°C (W) 0.32 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 28 pF

 

主要特征
低封装外形，最大封装高度0.42mm
0.62mm x 0.62mm封装外形
低导通电阻
极低栅极阈值电压，最大1.0V
ESD保护门

 

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