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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN2991UDR4 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2991UDR4

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2991UDR4
  • 名称 双 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X2-DFN1010-6

--- 产品详情 ---

DMN2991UDR4 

产品简介
DIODES 的 DMN2991UDR4 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS ( ON ))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2991UDR4
名称               双 N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               X2-DFN1010-6


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.28 nC
CISS Typ (pF) 14.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

主要特征
低导通电阻
低输入/输出泄漏
开关速度快
ESD保护栅极

 

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