--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN3008SFG
- 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI3333-8
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMN3008SFG 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN3008SFG
名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 17.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 41 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 86 nC
CISS Typ (pF) 3690 pF
主要特征
低RDS(ON)–确保最大限度地减少状态损耗
体积小、外形系数高、热效率高的封装
密度最终产品
仅占SO-8启用占用的板面积的33%
较小的最终产品
生产中的100%无阻尼感应开关(UIS)测试
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