--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN3008SFGQ
- 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI3333-8
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMN3008SFGQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN3008SFGQ
名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 17.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 62 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 41 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 86 nC
CISS Typ (pF) 3690 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低 R DS(ON) – 确保最小化通态损耗
小型、高效热封装可实现更高密度的最终产品
仅占 SO-8 所占电路板面积的 33%,可实现更小的最终产品
生产中进行 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
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