DMN3010LFG N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMN3010LFG 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3010LFG
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                POWERDI3333-8

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 2075 pF

主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸的热效率封装使
密度最终产品
仅占SO-8板面积的33%
较小的最终产品
100%UIS（雪崩）额定值
100%Rg测试

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