DMN3010LK3 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMN3010LK3 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3010LK3
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                TO252-3L

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.1 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 2075 pF

主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸的热效率封装使
密度最终产品

相关型号
DMN2992UFB4Q
DMN29M9UFDF
DMN3006SCA6
DMN3007LSS
DMN3008SCP10
DMN3008SFG
DMN3008SFGQ
DMN3009SFG
DMN3009SFGQ
DMN3009SK3
DMN3009SSS
DMN3010LFG
DMN3010LK3
DMN3010LSS
DMN3012LEG
DMN3012LFG
DMN3013LDG
DMN3013LFG
DMN3015LSD
DMN3016LDN
DMN3016LDV
DMN3016LFDE
DMN3016LFDF
DMN3016LFDFQ
DMN3016LK3
DMN3016LPS
DMN3016LSS
DMN3018SFG
DMN3018SSD
DMN3018SSS
DMN3020UFDF
DMN3020UFDFQ
DMN3020UTS
DMN3021LFDF
DMN3022LDG
DMN3022LFG