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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN3013LDG 30V 同步 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3013LDG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3013LDG
  • 名称 30V 同步 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI3333-8 (Type D)

--- 产品详情 ---

DMN3013LDG 

产品简介
DIODES 的 DMN3013LDG 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3013LDG
名称                30V 同步 N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                PowerDI3333-8 (Type D)


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10, 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5, 9.5 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 2.16 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14.3, 14.3 (@8V) mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16.1, 16.1 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2, 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.3, 3.4 nC
CISS Typ (pF) 387 pF

 


主要特征
生产中的100%无阻尼感应开关（UIS）测试
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度

 

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