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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN3016LDN 30V 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3016LDN

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3016LDN
  • 名称 30V 双 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 V-DFN3030-8

--- 产品详情 ---

DMN3016LDN 

产品简介
DIODES 的 DMN3016LDN 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3016LDN
名称                30V 双 N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                V-DFN3030-8


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1415 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快

 

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