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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN3016LPS 30V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3016LPS

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3016LPS
  • 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI5060-8

--- 产品详情 ---

DMN3016LPS  

产品简介
DIODES 的 DMN3016LPS 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3016LPS
名称                30V N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                 POWERDI5060-8

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.75 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1415 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
<1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择

 

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