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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN3021LFDF 30V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3021LFDF

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3021LFDF
  • 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMN3021LFDF  

产品简介
DIODES 的 DMN3021LFDF 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其高效电源管理应用的理想选择。


产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3021LFDF
名称                30V N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                U-DFN2020-6


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14 nC
CISS Typ (pF) 706 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积 4mm 2
低栅极阈值电压
开关速度快

 

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