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DMN3023L N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3023L

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3023L
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN3023L 

产品简介
DIODES 的 DMN3023L 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择。


产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3023L
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 68 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.4 nC
CISS Typ (pF) 873 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护栅极

 

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