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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN3029LFG N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3029LFG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3029LFG
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI3333-8

--- 产品详情 ---

DMN3029LFG  

产品简介
DIODES 的 DMN3029LFG 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3029LFG
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                POWERDI3333-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.07 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 580 pF

 

主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
体积小、热效率高的封装
密度最终产品
仅占SO-8板面积的33%
较小的最终产品
100%UIS（雪崩）评级
100%Rg测试

 

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