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DMN3032LE N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3032LE

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3032LE
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223

--- 产品详情 ---

DMN3032LE  

产品简介
DIODES 的 DMN3032LE 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3032LE
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                SOT223


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 498 pF

 

主要特征
低导通电阻
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏

 

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