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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN3070SSN 30V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3070SSN

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3070SSN
  • 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SC59

--- 产品详情 ---

DMN3070SSN  

产品简介
DIODES 的 DMN3070SSN 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电（RDS（ON）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3070SSN
名称                30V N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                SC59

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 40 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 80 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.2 nC
CISS Typ (pF) 697 pF

 

主要特征
低导通电阻
ESD保护门

 

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