产品简介
DIODES 的 DMN30H14DLY 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN30H14DLY
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT89
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 300 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.21 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 4 nC
CISS Typ (pF) 96 pF
主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
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