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DMN3300U N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3300U

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3300U
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN3300U  

 产品简介
DIODES 的 DMN3300U 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3300U
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                SOT23

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
CISS Typ (pF) 193 pF

 

主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
小型表面安装封装

 

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