产品简介
DIODES 的 DMN33D8LVQ 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN33D8LVQ
名称 双N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT563
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.35 A
PD @TA = +25°C (W) 0.43 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.8 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 48 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 5 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
ESD保护栅极
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