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DMN3900UFA N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN3900UFA

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3900UFA
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X2-DFN0806-3

--- 产品详情 ---

DMN3900UFA 

产品简介
DIODES 的 DMN3900UFA 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3900UFA
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                 X2-DFN0806-3

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.65 A
PD @TA = +25°C (W) 0.49 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 760 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 930 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 42.2 pF

 

主要特征
0.4mm超薄封装，适用于薄型应用
0.48平方米
封装占地面积，比SOT23小16倍
低VGS（th），可直接由电池驱动
RDS低（打开）
ESD保护

 

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