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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN39M1LFVW 30V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN39M1LFVW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN39M1LFVW
  • 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMN39M1LFVW 

产品简介
DIODES 的 DMN39M1LFVW 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN39M1LFVW
名称                30V N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                 PowerDI®3333-8

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 87 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
PD @TC = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7.4 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40 nC
CISS Typ (pF) 2387 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低 R DS(ON) – 确保导通状态损耗最小化
小尺寸热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现更小的最终产品

 

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