--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN39M1LK3
- 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO252
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMN39M1LK3 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低
电阻(RDS(ON))同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN39M1LK3
名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 17.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 89.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 65.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 38.6 nC
CISS Typ (pF) 2253 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
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